freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態(tài)譜儀微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀對(duì)于半導(dǎo)體材料少子壽命，電學(xué)參數(shù)和界面陷阱等進(jìn)行非接觸和非破壞性測(cè)試
更新時(shí)間：2023-06-15
freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態(tài)譜儀
微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀對(duì)于半導(dǎo)體材料少子壽命，電學(xué)參數(shù)和界面陷阱等進(jìn)行非接觸和非破壞性測(cè)試。硅| 化合物半導(dǎo)體 | 氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦 | 外延層
半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)研究和開發(fā)
配置選項(xiàng)
靈敏度：對(duì)半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有高靈敏度
溫度范圍：液氮(77K)到500K,可選：液氦(4K)或更高的溫度
衰減常數(shù)范圍：20ns到幾十ms
玷污檢測(cè)：電學(xué)陷阱基本性能確定：
激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等
重復(fù)性：>99.5%，測(cè)試時(shí)間< 6 0 分 鐘 ，液氮消耗：2L/run
靈活性： 從365nm到1480nm,根據(jù)不同材料選擇不同波長的激發(fā)光源
輔助功能：基于IP的系統(tǒng)，允許在任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持
半導(dǎo)體材料性能研究和開發(fā)
+ 半導(dǎo)體材料質(zhì)量控制
+ 缺陷種類確定：激活能，俘獲截面等參數(shù)
freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態(tài)譜儀
測(cè)試原理
MDpicts采用*的光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜測(cè)試技術(shù)（PICTS）是非接觸測(cè)試并具備更高的靈敏度，在各種半導(dǎo)體材料研究中開辟了新的應(yīng)用。這個(gè)技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體材料中的電學(xué)缺陷行為，可以提供與D L T S 技術(shù)相媲美的靈敏度，并給出載流子陷阱在材料中的主要復(fù)合中心。
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